AAOA-MBR工艺在工程中的应用分析

通过对AAOA-MBR工艺在实际工程中的应用,分析该工艺处理城市污水的节能减排效能。实践表明AAOA-MBR工艺具有很强的抗冲击负荷能力,在进水质水量大幅度波动、且碳源匮乏的情况下,仍能取得良好的处理效果。实际工程运行四年来,厂区出水各项指标均稳定优于城镇污水处理厂污染物排放标准(GB 18918-2002)中的一级A标准,其中COD、BOD₅、SS、NH₃^-N去除率分别达到可分别达到90.14%、98.25%、95.58%和98.2%;通过对运行期间污水处理量与耗电量相关关系进行回归分析可知,当处理水量达到设计规模时,其吨水耗电量预测为0.31kWh/m³。同时,基于对污水处理系统的沿程水质检测,优化进水水量分配和内循环回流比并进行产水泵联动改造,可进一步提高系统节能减排效果。     

导管架平台上部组块双船拆除

为研究复杂海域环境中海洋平台双船拆除方法的安全性与可操作性,采用水动力数值计算与水池模型试验相结合的方法进行研究。将双船水动力耦合计算与水池模型试验进行对比,在相对理想海况下,结合与实际工况接近的规则波作用,进行驳船水动力性能变化与运动响应的幅值分析。在受力分析方面,对甲板耦合装置进行改良设计,对比试验数据与数值计算数据,得到受力在合理范围内的结论。研究内容为实际施工的合理性提出一定的指导性意见。     

食品包装高精度计量控制方法

目的 为提高食品包装过程计量组件的称量精度和效率,采用智能控制算法设计一种高精度计量控制系统.方法 在分析动态称量系统工作原理的基础上,建立称量过程数学模型,将控制对象由放料阀门开度转换为电机轴位置.考虑到传统PID控制的缺陷,结合PI Ziegler-Nichols和预测控制设计一种高精度计量控制系统.该控制系统可实现比例和积分系数的在线调整,能够抑制参数变化、负载扰动;预测控制可提高系统收敛速度和跟踪能力.最后进行仿真和实验研究.结果 仿真结果表明,智能控制算法具有比较强的自适应、自整定能力,计量精度可以达到静态称量水平,均高于99.5％.结论 食品包装高精度计量控制系统具有精度高、稳定性好、称量效率高等特点,在实际应用中对称量过程的控制效果相对较好.     

Optical design of the Lyman alpha based beam emission spectroscopy(LAB)diagnostic on the HL-2A tokamak

In this article, we present the optical design of a novel diagnostic on the HL-2 A tokamak, i.e. the20-channel edge Lyman-alpha beam emission spectroscopy, which is a promising solution for edge density turbulence research on tokamaks, as it offers the possibility of density fluctuation measurement with a 3.3 mm spatial resolution while maintains a high temporal resolution of1 μs. The optical path, including the reflective collection optics, the high-dispersion spectrometer, and the linear detector array, is carefully optimized to obtain a good image quality and a high throughput. The maximum root mean square radius of the collection optics is 64 μm.The detected photon flux is estimated to be about 10~(11) photons/s/channel.     

上升气泡内气溶胶沉降机理研究

气溶胶池洗过滤是反应堆严重事故中去除放射性源项的重要手段。本文以严重事故条件下上升气泡中气溶胶的滞留过程为背景，设计搭建了可视化单气泡鼓泡实验装置。通过该装置研究了气溶胶在上升气泡中的沉降效率，并与MELCOR中的气溶胶沉降模型计算结果进行了对比。结果表明，气溶胶沉降效率对气泡尺寸的变化较为敏感，当气体流量大于0.1 L/min时，气泡等效直径迅速增加，相应的气溶胶沉降效率快速降低；与MELCOR模型计算结果的对比表明，两者在总体趋势上呈现出较好的一致性，但计算结果低估了液相对气溶胶的实际去除能力，导致这种偏差的主要原因是气泡在上升过程中存在无规则的晃动以及气液界面的波动。     

国内某铜矿钼精选作业CCF浮选柱的应用研究

针对国内某铜矿铜钼分离作业中钼的选矿指标较差的问题,在原矿性质和问题分析的基础上,利用CCF型逆流充气式浮选柱替代原矮柱式浮选槽,同时优化了作业流程、工艺参数和药剂制度,确定了浮选柱的最佳条件参数.生产中利用2台CCF浮选柱替代4台矮柱浮选槽,获得了品位为46.82％、回收率为72.75％ 的钼精矿,实现了增产增效的目的.     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

温度对黑豆皮活性成分、抗氧化和抗肿瘤活性的影响

在不同温度下用蒸馏水浸提黑豆皮,测定了黑豆皮提取物中总黄酮、总酚、花青素、碳水化合物、蛋白质、糖醛酸等6种活性成分的含量,并体外评估了其抗氧化活性和抗肿瘤活性.结果表明,90℃浸提时,黑豆皮提取物中的总黄酮、总酚、蛋白质、糖醛酸含量最高,分别为(11.555±0.160)％、(1.454±0.070)％、(13.096±0.600)％、(21.587±1.570)％;花青素含量在80℃浸提时达到最高,为(0.199±0.003)％;而碳水化合物的含量则在100℃浸提时达到最高,为(65.566±1.448)％.随着黑豆皮提取物浓度的增加,其总还原能力和对DPPH自由基的清除能力逐渐增强且呈线性关系;黑豆皮提取物具有抑制肿瘤细胞增殖的作用,能够有效抑制人胃腺癌细胞株(BGC-823)、宫颈癌细胞株(HeLa)和人大细胞肺癌细胞株(NCI-H460)的增殖且呈浓度依赖关系.表明黑豆皮提取物具有成为功能性保健品的潜能,为其产业化开发奠定了重要基础.     

电气设备接地装置的运行与维护探讨

随着现代化进程的加快,电气设备接地装置的应用越来越广泛,从安全的角度考虑,其运行和维护受到了全社会的广泛关注,如何介绍应用当中存在的安全隐患成为当前关注的主要内容。本文系统概括的分析了电气设备接地装置的运行和维护情况,为其安全应用提供一定的参考。     

Resolving Deep Sub-Wavelength Scattering of Nanoscale Sidewalls Using Parametric Microscopy

The quantitative optical measurement of deep sub-wavelength features with sub-nanometer sensitivity addresses the measurement challenge in the semiconductor fabrication process. Optical scatterings from the sidewalls of patterned devices reveal abundant structural and material information. We demonstrated a parametric indirect microscopic imaging (PIMI) technique that enables recovery of the profile of wavelength-scale objects with deep sub-wavelength resolution, based on measuring and filtering the variations of far-field scattering intensities when the illumination was modulated. The finite-difference time-domain (FDTD) numerical simulation was performed, and the experimental results were compared with atomic force microscopic (AFM) images to verify the resolution improvement achieved with PIMI. This work may provide a new approach to exploring the detailed structure and material properties of sidewalls and edges in semiconductor-patterned devices with enhanced contrast and resolution, compared with using the conventional optical microscopy, while retaining its advantage of a wide field of view and relatively low cost.